蓝宝石基片的运用

外延片厂家使用的蓝宝石基片种类

1:C-Plane蓝宝石基板
     厂家普遍使用的供GaN生长的蓝宝石基板.主要因为早期蓝宝石晶体沿C轴生长的工艺成熟、成本相对较低、物化性能稳定，在C面进行磊晶的技术成熟稳定。
2:R-Plane或M-Plane蓝宝石基板
     主要用来生长非极性/半极性面GaN外延薄膜,以提高发光效率.通常在蓝宝石基板上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的，而c轴是GaN的极性轴，导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场，发光效率会因此降低，发展非极性面GaN外延，克服这一物理现象，使发光效率提高。
3:图案化蓝宝石基板(Pattern Sapphire Substrate简称PSS)
     以成长(Growth)或蚀刻(Etching)的方式,在蓝宝石基板上设计制作出纳米级特定规则的微结构图案藉以控制LED之输出光形式，并可同时减少生长在蓝宝石基板上GaN之间的差排缺陷，改善磊晶质量，并提升LED内部量子效率、增加光萃取效率。4:MicroLED      MicroLED技术，即LED微缩化和矩阵化技术，简单来说，就是将LED(发光二极管)背光源进行薄膜化、微小化、阵列化，可以让LED单元小于50微米，与OLED一样能够实现每个像素单独定址，单独驱动发光(自发光)。它的优势在于既继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，又具有自发光无需背光源的特性，体积小、轻薄，还能轻易实现节能的效果。 5:MiniLED       MiniLED则是最近刚刚出现的一个概念技术，又名“次毫米发光二极管”，意指晶粒尺寸约在100微米的LED，最早是由晶电所提出。MiniLED是介于传统LED与MicroLED之间，简单来说还是传统LED背光基础上的改良版本。